中国最先进手机芯片为几纳米?
目前中国最先进的手机芯片为5纳米(截至2021年),是华为的麒麟9000 5G SoC芯片.其次就是紫光展锐推出的唐古拉T770芯片,该芯片定位中低端手机市场,基于6nm…
光刻机是哪个国家生产的?
在全球高端光刻机市场,荷兰达到全球领先水平,荷兰ASML公司占据着全球80%的市场份额,几乎处于垄断地位.除了荷兰,日本、中国也可以制造光刻机,日本的代表企业是尼康和佳能,中国的代表企业是上海微电子(SMEE).光刻机的品牌众多,根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类:高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常七纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美金一台的光刻机.高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造.国外品牌主要以荷兰ASML,日本Nikon和日本Canon三大品牌为主.
中国哪家的光刻机功能,性能最好?
上海微电子装备有限公司的步进式扫描光刻机吧,估计是中国最先进的了.SSA600/20 步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备.此外,该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术,并配合其他分辨率增强技术,能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求.该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产. 本人亲自用过,号称能有90nm分辨率但是实际使用情况看2um还是能达到的.6寸、8寸、12寸都能生产,人际界面良好,效率还算可以,跟国外同类型机器相比故障率稍高.
集成电路制造中光刻的最新进展
前途一片光明
以中国现在的科技实力,造出像高通那样的商业化芯片需要多久?
设计是可以设计的出,比如华为海思就已经设计出来了,但是生产方面无法搞定,你就是让高通来他们也是找人代工的.而且这个不是有时间就能解决的问题,制造高制程芯片的高端光刻机是对中国禁售的,所以根本无法生产.如果要从头研发光刻机,那花费的时间得10年起了.更何况如果以其他厂商现有产品为竞争对象研发,等你的光刻机研发出来,那已经是过时很久的光刻机了.
光刻机怎么制作（最好提供图文）？
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）
芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。
光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。（*百度百科）
将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上
光刻掩膜版的立体切片示意图
第二步：晶圆覆膜准备
从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：
第三步：在晶圆上“光刻”电路流程
使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上。（见动图）：
上述动图的工作切片层级关系如下：
光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化，一般使用显影液将曝光部分祛除
而被光阻覆盖部分以外的氧化膜，则需要通过与气体反应祛除
通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后，通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作，进而完成半导体元件的全部建设。
做到这里可不算大功告成，这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中，普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构，晶体管、绝缘层、布线层等等：
搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路，需要多层结构
因此，在完成一层光刻流程之后，需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖，然后重新涂上光阻，烧制下一层电路结构：
多次重复上述操作之后，芯片的多层结构搭建完毕（下图）：
如果上图看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图：
当然，我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况：
第四步：切蛋糕（晶圆切割）
使用光刻机烧制完毕的晶圆，包含多个芯片（Die），通过一系列检测之后，将健康的个体们切割出来：
从晶圆上将一个个“小方块”（芯片）切割出来
第五步：芯片封装
将切割后的芯片焊